【中國科學家首創 " 蒸籠 " 方法 " 長出 " 高性能晶體管新材料】財聯社 7 月 18 日電，集成電路是現代信息技術的核心基礎。近年來，隨著硅基芯片性能逐步逼近物理極限，開發新型高性能、低能耗半導體材料，成為全球科技研發熱點。其中，二維層狀半導體材料硒化銦因遷移率高、熱速度快等優良性能，被視為有望打破硅基物理限制的新材料。由北京大學、中國人民大學科研人員組成的研究團隊歷經四年攻關，首創一種 " 蒸籠 " 新方法，首次在國際上成功實現高質量硒化銦材料的晶圓級集成制造，并研制出核心性能超越 3 納米硅基芯片的晶體管器件。該成果 18 日在線發表于《科學》雜志。
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