【CNMO 科技消息】據(jù) CNMO 了解，三星電子近日在業(yè)績說明會上透露，其第五代高帶寬內(nèi)存 HBM3E 改進版已完成樣品供應(yīng)，預(yù)計第二季度起銷售規(guī)模將逐步擴大。盡管一季度受尖端半導(dǎo)體出口管制影響，HBM 銷售額觸及低點，但公司預(yù)計隨著新產(chǎn)品放量，季度業(yè)績將呈現(xiàn)階梯式復(fù)蘇。
三星電子存儲業(yè)務(wù)部副社長表示，HBM3E 改進版已向主要客戶完成樣品交付，下半年將重點推進第六代產(chǎn)品 HBM4 的量產(chǎn)工作，預(yù)計 2025 年實現(xiàn)規(guī)?；N售。值得注意的是，針對市場高度關(guān)注的定制化 HBM，三星正基于 HBM4 及第七代 HBM4E 平臺，與多家客戶展開合作洽談，部分定制項目或?qū)⒂?2026 年與標準版 HBM4 同步上市。
財報顯示，三星一季度存儲業(yè)務(wù)營收 19.1 萬億韓元，環(huán)比下降 17%，但同比增長 9%。盡管 HBM 銷售下滑拖累業(yè)績，但服務(wù)器用 DRAM 需求增長及 NAND 采購回暖成為亮點。展望二季度，公司預(yù)計 DRAM 產(chǎn)品價格將迎來復(fù)蘇，移動端、PC 領(lǐng)域位元增長率有望突破 10%，NAND 價格跌幅也將趨緩。
在代工業(yè)務(wù)方面，三星坦言受手機、PC 市場持續(xù)疲軟影響，一季度產(chǎn)能利用率下降導(dǎo)致虧損擴大。但通過聚焦 2 納米、4 納米高性能計算（HPC）及 AI 芯片訂單，先進制程（5 納米及以下）訂單量實現(xiàn)環(huán)比增長。技術(shù)部門透露，2 納米第一代工藝已完成可靠性評估，計劃二季度啟動量產(chǎn)，同時加速推進 2 納米第二代及 3 納米工藝優(yōu)化。
